ASML考虑推出通用EUV光刻平台

【蜂耘网 激光光学】荷兰媒体 Bits&Chips 日前爆料，ASML 正探讨推出通用 EUV 光刻平台的可能性。该公司首席技术官、现担任顾问的马丁・范登布林克（Martin van den Brink）于最近召开的 imec ITF World 技术论坛发表讲话时透露，ASML 计划在未来十年内打造一个集成 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）以及预计达到 0.7NA 的 Hyper NA 系统的单一平台。

范登布林克指出，更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说，Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，避免因使用 High NA 光刻机进行双重图案化导致的额外步骤及风险。

他强调，共享同一基础平台的多种 EUV 光刻机会降低研发成本，并方便将 Hyper-NA 机台的技术进步推广至数值孔径较小的光刻机。据悉，ASML 最新款 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E 已采用为 High NA 光刻机设计的高速载物台移动系统。

此外，ASML 计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量由目前的每小时 200~300 片提升至每小时 400~500 片，以提高单台光刻机的生产效率，进而降低行业成本。

范登布林克在演讲中还提及，当前人工智能的发展趋势显示，消费者对多样化应用有强烈需求，但受限于能耗、计算能力和海量数据集等因素。

（蜂耘激光光学网 责任编辑：行云）