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英特尔加快先进芯片工艺研发 计划2023年量产3纳米芯片

【蜂耘网   电子电工】在晶圆代工领域,英特尔已明显落后于台积电、三星,但其似乎仍未放弃曾称霸数十年的晶圆代工业务。近日,英特尔副总裁兼技术开发负责人Ann Kelleher在旧金山举行的新闻发布会上透露,公司准备开始制造4纳米半导体,并将于2023年下半年转向3纳米。英特尔目前正在大规模生产7纳米芯片。

 

 

目前Kelleher的团队正试图弥补该芯片制造商延迟交付的领先制造技术,该技术比最初承诺的时间晚了5年左右。目前该公司正在以前所未有的速度加快引进新工艺。

 

Kelleher表示,“英特尔采取了比过去更为务实的做法,建立了应急计划,以确保不再出现重大延误。”她强调,该公司还更多地依赖芯片设备供应商的帮助,而不是试图自己完成所有的工作。

 

不过,不久前,英特尔代工服务负责人塔库尔(Randhir Thakur)已经辞职。对此,分析师认为英特尔代工服务恐面临更大挑战。

 

实际上,在14纳米工艺之前,英特尔在制程上还是领先业界,但在10纳米之后就慢慢落后于台积电了。

 

有专业人士表示,英特尔逐渐落后的原因在于两点:一是半导体行业快速发展,特别是移动计算的兴起,高端制程的高投入和不确定性,导致英特尔无法像台积电那样投入太多资源在晶圆代工上;二是美国半导体人才匮乏,特别是美国金融、互联网等高薪行业吸纳了太多年轻人才,导致出现半导体人才断层的现象。

 

在半导体人才匮乏这个问题上,从台积电未来千名技术骨干将赴美国亚利桑那州新厂这一细节就可以看出。

 

英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)此前誓言要重新夺回芯片制造技术的领导者地位。2021年3月,他曾宣布启动“IDM 2.0”战略,其中包括投资200亿美元在亚利桑那州建设两座晶圆厂,提升产能加大代工业务。

 

同时,英特尔还组建独立的代工服务部门,意在成为全球主要芯片代工商。基辛格甚至表示,“IDM 2.0”是英特尔成功的秘诀,借助“IDM 2.0”战略,英特尔将以其富有深度和广度的软硬件平台设计出最好的产品,并为代工客户提供下一代工艺创新。

 

不过,尽管英特尔勾画了晶圆代工美好蓝图,但其仍然要面对台积电、三星稳固的代工地位和技术竞争,特别是其很多业务还跟苹果、AMD等竞争对手高度重合,能否吸引更多终端客户仍存在较大压力。

 

如今,台积电已经在美国本土扩大产能,三星未来也可能会跟进布局,必将对英特尔代工业务形成更大的压力。

 

(蜂耘电子电工网  责任编辑:江吟)

2022-12-07 16:47

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来源:电子工程专辑
近日,英特尔副总裁兼技术开发负责人Ann Kelleher在旧金山举行的新闻发布会上透露,公司准备开始制造4纳米半导体,并将于2023年下半年转向3纳米。英特尔目前正在大规模生产7纳米芯片。

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