东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
【蜂耘网 电子电工】5月18日,东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量,以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性,同时要求MOSFET小巧纤薄,且具有更低的导通电阻。
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外,新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。
东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
应用
- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备,包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
特性
- 业界领先的[1]低导通电阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V
- 业界领先的[1]低栅源漏电流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封装:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)
- 共漏极结构,可方便地用于电池保护电路
主要规格
注:[1] 截至2023年5月的东芝调查,与相同额定值的产品进行比较;[2] 已发布产品。
(蜂耘电子电工网 责任编辑:辛渺)
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外,新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。
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