英特尔 High NA EUV 光刻机年内投入研发，有望在三代节点沿用

【蜂耘网  激光光学】英特尔近日宣布完成世界首台商用 High NA EUV 光刻机的安装。

而在上周的一场电话会议上，英特尔院士马克・菲利普斯（Mark Phillips）表示这台耗资约 3.5 亿美元（当前约 25.38 亿元人民币）的庞然大物年内就将启用。

菲利普斯是英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管。他表示英特尔将于今年晚些时候将 High NA EUV 光刻机投入制程开发工作。

英特尔将在 18A 尺度的概念验证节点上对 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 光刻的混合使用进行测试，并在之后的 14A 节点上进入商业化量产阶段。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可在三代的未来节点上沿用，从而将光刻技术的名义尺度突破到 1nm 以下量级。

关于未来光刻技术发展，菲利普斯认为将光线波长进一步缩短至 6.7nm 会引入大量新的问题，包括明显更大的光学组件；在他眼中，更高的数值孔径（Hyper NA）是可能的技术方向。

对于 High NA EUV 光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示英特尔正同 EDA 企业一道就芯片“缝合”技术进行开发，以方便设计师使用。

（蜂耘激光光学网   责任编辑：行云）