关税引发囤货？韩国对华芯片出口暴涨之后暴跌

【蜂耘网 电子电工】2025 年 3 月，韩国两大芯片巨头三星电子和 SK 海力士先后公布 2024 年财报，数据显示，两家企业在中国市场的销售额均实现显著增长。其中，三星对华出口额同比激增 53.9%，达 64.9 万亿韩元（约合 447 亿美元），首次超过对美出口额；SK 海力士在华销售额也实现稳健增长，无锡 DRAM 工厂扭亏为盈，营业利润达 5985 亿韩元。

这一成绩的背后，是中国 “以旧换新” 政策与全球贸易不确定性共同作用的结果。

政策红利与贸易博弈：双重驱动下的增长

中国政府于 2024 年推出的 “以旧换新” 政策成为关键推手。该政策向市场注入了1500亿元人民币以刺激对智能手机和家用电器的需求，直接拉动了对存储芯片的需求。

根据Techinsights数据，2024年业绩上涨最多的前五大半导体企业中，有4家是存储企业，分别是SK海力士（上涨94%）、美光（上涨78%）、铠侠（上涨65%）以及三星电子（上涨32%）；而下降前五名中大多为汽车电子和MCU供应商

三星作为全球最大的存储芯片供应商，其 LPDDR、NAND 闪存等产品广泛应用于中国市场的终端设备中。数据显示，三星西安 NAND 闪存工厂 2024 年销售额同比增长 28.5% 至 11.2 万亿韩元，上海销售子公司销售额近翻倍至 30.1 万亿韩元，均受益于政策带来的市场回暖。

SK海力士同样在中国市场取得了稳健增长。其无锡DRAM工厂去年不仅成功扭亏为盈，营业利润达到5985亿韩元，销售额也同比增长64.3%，净利润同比大增65.4%。SK海力士在中国的销售额为5.6万亿韩元，较前年有所增加。

与此同时，国际贸易环境的变化也加速了芯片囤货潮。特朗普政府潜在的关税政策引发中国手机、PC厂商对供应链风险的担忧，促使企业提前储备芯片。业内人士透露，仅2024第四季度中国客户订单量环比增长40%，直接拉动三星西安工厂满负荷运转。三星和 SK 海力士作为主要供应商，成为这一预防性采购的直接受益者。

2月对华出口暴降，反转来得太快

行业分析师指出，这种短期囤货行为虽不可持续，但在短期内为韩国企业带来了显著的收入增长。

2024年12月，美国商务部对向中国出售HBM芯片实施新的限制，试图阻止中国在AI和其他技术领域取得进展。

TrendForce分析师也警告，若美国对华关税最终落地，可能导致中国厂商转向本土供应链，三星、SK海力士或面临市场份额流失风险。此外，存储芯片行业具有强周期性特征，当前涨价红利（HBM合约价2025年预计上涨63%）可能随着2026年新产能释放而消退。

果不其然，据韩国贸易部数据显示，韩国2月对华半导体出口较上年同期下降3%，对华芯片销售额较上年同期暴跌31.8%，跌幅超过1月的22.5%。传统存储芯片价格下跌和半导体生产技术转型是出口增长放缓的原因之一，此外受特朗普政府关税政策及民间消费疲软影响，韩国经济2025年预计较2024年失速。该国同时面临去年12月尹锡悦总统短暂宣布戒严令引发的经济动荡余波。

市场复苏与价格反弹：存储芯片的春天？

回看“逆势赚钱”的三星和SK海力士，两家公司的对华出口产品组合中，半导体产品占据了绝大部分。三星主要向中国供应LPDDR、NAND Flash、图像传感器和显示驱动器IC，以及一些HBM产品。而SK海力士则专注于DRAM和NAND产品的生产和销售。

2024 年全球存储芯片市场经历了从供过于求到逐步复苏的过程。尽管通用存储器（如 PC 和智能手机用 DRAM/NAND）在下半年因需求疲软导致价格下跌约 30%，但 AI 服务器需求的爆发式增长推动了 HBM 等高附加值产品的需求激增。三星凭借在 HBM 技术上的领先地位，其高端产品在华销售额同比增长 63%，成为重要增长极。

进入 2025 年，市场复苏迹象明显。DRAMeXchange 数据显示，通用 DRAM 价格自 3 月起连续上涨，16Gb DDR5 产品价格单月涨幅超 6%。三星、SK 海力士以及美光、长江存储等厂商均计划于 4 月上调产品价格，预计涨幅超 10%。这一轮价格反弹不仅缓解了行业库存压力，也为韩国企业的持续增长注入信心。

中国市场的战略意义与潜在挑战

中国已成为三星和 SK 海力士全球第二大市场，分别贡献了三星 25% 和 SK 海力士 27.5% 的总收入。然而，这一增长背后仍存在隐忧。美国对中国传统芯片的调查听证会可能进一步升级贸易摩擦，若对中国产成熟制程芯片加征关税，韩国企业在华工厂的供应链稳定性或将受到冲击。

此外，中国本土存储芯片企业如长江存储、长鑫存储的崛起，正逐步打破国际巨头的垄断，未来市场竞争将更加激烈。日前，长江存储宣布量产232层3D NAND，良率突破90%，这对三星在华市场份额构成直接挑战。SK海力士无锡工厂负责人坦言："政策红利窗口期只有2-3年，必须在中国市场建立不可替代的技术优势。"

面对机遇与挑战，三星和 SK 海力士采取了差异化策略。三星加速推进西安工厂的技术升级，三期工厂扩建工程已于2024年底投产，计划投资 270 亿美元扩大高端 NAND 产能；SK 海力士则在无锡和大连布局 DRAM 与 NAND 闪存生产线，其中无锡工厂先进制程（12nm DDR5）产能占比提升至55%，同时加大对 AI 服务器内存的研发投入。两家企业均表示，将继续深化与中国客户的合作，同时拓展欧美市场的高附加值产品份额，以平衡地缘政治风险。

三星和 SK 海力士在中国市场的增长，既是中国内需潜力的体现，也是全球半导体产业格局变化的缩影。随着中国 “新基建” 和数字化转型的持续推进，存储芯片需求有望保持高位，但国产替代与国际竞争的双重压力也将考验韩国企业的长期竞争力。未来，技术创新与供应链韧性将成为决定行业胜负的关键因素。

（蜂耘电工电工网 责任编辑：似也）