极紫外光刻 Nature Reviews Methods Primers

【蜂耘网 激光光学】最近，半导体工业采用了极紫外光刻Extreme ultraviolet lithography (EUVL) 技术。这种前沿光刻技术，用于半导体器件的持续微型化，以符合摩尔定律。极紫外光刻EUVL已经成为一种关键技术，利用更短的波长，实现比以前光刻方法具有更高精度和更低缺陷率的纳米级特征尺寸。

近日，瑞士 保罗谢勒研究所（Paul Scherrer Institute）Dimitrios Kazazis，Yasin Ekinci等，在Nature Reviews Methods Primers上发文，全面探讨了从深紫外到极紫外extreme ultraviolet (EUV)光刻的技术演变，重点介绍了为满足大批量制造严格要求而开发的源技术、抗蚀剂材料和光学系统的创新方法。

从光刻的基本原理开始，描述了极紫外EUV扫描仪的主要部件和功能。还涵盖了支持研究和早期开发阶段的曝光工具。关键主题——如图像形成、光刻胶平台和图案转移——进行了解释，重点是提高分辨率和产量。此外，持续的挑战也得到了解决，如随机效应和抗蚀剂敏感性，并为极紫外光刻EUVL的未来发展方向提供了见解，包括高数值孔径系统和新型抗蚀剂平台。文章旨在对当前极紫外光刻EUVL能力进行详细回顾，并预测在半导体制造中，极紫外光刻EUVL的未来发展和演变。

图1: 光刻工艺的基本步骤。

图2: 极紫外扫描仪及其主要部件。

图3: 光致抗蚀剂的工艺窗口。

图4: 暴露于极紫外光的化学放大抗蚀剂对比度曲线。

图5: 在密集线/间隔图案和接触孔阵列的光刻图案化中的典型故障。

图6: 在2025-2026年，随着高数值孔径numerical aperture，NA系统进入大批量制造high-volume manufacturing ，HVM，在未来十年，光刻密度缩放scaling，将持续加码。

图7: 对于高数值孔径NA和低数值孔径NA极紫外扫描器，源功率除以剂量函数绘制的晶片产量曲线。

（蜂耘激光光学网  责任编辑：行云）